实战：显存供电（MSVDD）缺失排查

现象

• 显卡能识别，但黑屏或不认卡
• 或者花屏、显存容量识别错误
• 上电后显存区域不发热（核心发热）

显存供电电路的特点

特点	说明
相数少	通常 1～3 相（核心有 6～20 相）
位置	靠近显存颗粒或板边，电感数量明显少
电压固定	GDDR6 为 1.35V，GDDR5 为 1.5V（不随负载变化）
有 VPP 轨	GDDR6/6X 还需要 VPP（1.8V 或 2.5V）
由核心控制	MSVDD 的使能通常来自核心或上游时序

排查流程

第 1 步：确认显存供电是哪一组

找法：
① 找**相数最少**的那组供电（1～3 个电感成组）
② 用点图搜索 "MSVDD" / "MVDD"
③ 上电后量：核心电压会随负载变化，显存电压固定不动
   → 固定 1.35V 的那组就是显存供电

第 2 步：量输出对地阻值

├─ 蜂鸣 / 0mV → **某颗显存颗粒可能短路了**
│   → 逐颗量显存的供电焊点对地阻值
│   → 找出短路的那颗（读数明显低于其他）
│   → 更换该颗粒（L4 操作）
└─ 正常范围 → 继续

第 3 步：量 PWM 控制器的 VCC 和 EN

与核心供电排查方法相同：

├─ VCC 没有 → 查 VCC 来源
├─ EN 没有 → 查使能信号（常来自核心的 PGOOD 或时序链）
└─ 都有 → 继续

第 4 步：检查 MOS、电感、反馈

同核心供电的排查方法。特别注意：

• 显存供电相数少，任何一相失效影响都很大。
• 电感虚焊在显存区域也时有发生。

第 5 步：检查 VPP 轨（GDDR6/6X 特有）

GDDR6 需要 VPP（通常 1.8V 或 2.5V）
① 找 VPP 轨（通常在显存附近的小电感或 LDO）
② 量 VPP 电压
③ VPP 缺失 → 显存不工作 → 不认卡 / 花屏
④ 检查 VPP 的产生电路（LDO 或小 DCDC）

显存位宽与颗粒的对应关系

排查显存问题时，需要理解"哪颗颗粒负责什么"：

位宽计算

总位宽 = 单颗位宽 × 颗粒数

例：RTX 3070
  8 颗 GDDR6，每颗 32bit
  8 × 32 = 256bit ✔

例：RTX 3060 (12GB)
  6 颗 GDDR6，每颗 32bit（双面）
  6 × 32 = 192bit ✔

位宽缺失的表现

如果一颗显存完全失联：

• 位宽减少（256bit → 224bit 或其他）
• 性能大幅下降
• 花屏（因为部分画面区域没有对应显存）
• GPU-Z 显示的位宽或容量异常

MATS 的 bit 定位原理

MATS 报错格式示例：
  Error: Rank 0 Bank 3 Row 1234 Col 56 bit 21

含义：第 21 位（bit）出现错误

显存的数据位（bit）与颗粒的对应关系：
  每颗 32bit 的颗粒负责连续的 32 个 bit（或按交错方式分布）
  → bit 21 落在某颗颗粒负责的范围内
  → 查"bit ↔ 颗粒映射表"，就能确认是第几颗

映射表通常由社区整理（不同型号不同），
也可以用"两颗互换测试"的方式反推：
  把怀疑的两颗颗粒互换位置，重跑 MATS
  → 如果报错跟到了新位置，说明是颗粒坏
  → 如果报错位置不变，说明是走线/焊点问题

显存问题的分级处理策略

情况	处理方式	难度
单颗颗粒虚焊	局部加热重熔（补焊）	★★
单颗颗粒损坏	更换该颗粒（BGA 拆焊 + 植球）	★★★★
多颗颗粒损坏	更换多颗（成本高，需谨慎评估）	★★★★★
供电元件损坏	更换 MOS/PWM/电容	★★★
核心显存控制器损坏	通常报废	—